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IXKN 45N80C
375
350
T J = 150°C
0.4
I D = 44 A
260
240
V DS > 2x I D x R DS(on)
25°C
V GS = 10 V
220
325
0.3
200
300
4V
4.5 V
5V
5.5 V
6V
6.5 V
180
275
160
250
225
200
175
7V
8V
10 V
20 V
0.2
0.1
98%
typ
140
120
100
80
60
40
150°C
150
20
125
0
5
10
15 20
I D [A]
25
30
35
0
-60
-20
20
60 100
T J [°C]
140
180
0
0
2
4
6
8
10 12
V GS [V]
14
16
18
20
Fig. 4
Typ. drain-source on-state
Fig. 5 Drain-source on-state resistance
Fig. 6 Typ. transfer characteristics
resistance
10
2
16
10
5
V GS = 0 V, f = 1 MHz
14
10
4
C iss
10
1
12
10
0.2 V DS max
0.8 V DS max
10
3
8
10
0
T j = 25 °C typ
T j = 150 °C typ
T j = 25 °C (98%)
6
10
2
C rss
C oss
T j = 150 °C (98%)
4
10
1
2
10
-1
0
0.4
0.8
1.2 1.6
V SD [V]
2
2.4
2.8 3
0
0
80
160
240
320 400
Q G [nC]
480
560
640
10
0
0
100
200
300
400 500
V DS [V]
600
700
800
Fig. 7 Forward characteristic
Fig. 8
Typ. gate charge
Fig. 9 Typ. capacitances
of reverse diode
700
980
650
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
I D = 4 A
960
940
920
900
880
860
840
820
800
780
760
740
0
25
50
75 100
T J [°C]
125
150
720
-60
-20
20
60 100
T J [°C]
140
180
Fig.  0 Avalanche energy
Fig.    Drain-source breakdown voltage
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
20080526a
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